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| BP 103 B BP 103 BF . PN-Silizium-Fototransistor N NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor NEW: Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter BP 103 B BP 103 BF Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm (BP 103 B) und bei 880 nm (BP 103 BF) q Hohe Linearitat q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehause q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Computer-Blitzlichtgerate q Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q "Messen/Steuern/Regeln" Features q Especially suitable for applications from 420 nm to 1130 nm (BP 103 B) and of 880 nm (BP 103 BF) q High linearity q 5 mm LED plastic package q Available in groups Applications q Computer-controlled flashes q Light-reflecting switches for steady and varying intensity q Industrial electronics q For control and drive circuits Semiconductor Group 204 BP 103 B BP 103 BF Typ (*ab 4/95) Bestellnummer Type (*as of 4/95) Ordering Code BP 103 B-2 (*SFH 300-2) BP 103 B-3 (*SFH 300-3) BP 103 B-41) (*SFH 300-4) BP 103 BF-2 (*SFH 300 FA-2) BP 103 BF-3 (*SFH 300 FA-3) BP 103 BF-4 (*SFH 300 FA-4) 1) Gehause Package T13/4, klares bzw. schwarzes Epoxy-Gieharz, Lotspiee im 2.54-mm-Raster (1/10"), Kollektorkennzeichung: kurzerer Lotspie, flach am Gehauseboden T13/4, transparent and black epoxy resin lens, solder tabs 2.54 mm (1/10") lead spacing, collector marking: short solder lead, flat at package bottom Q62702-P85-S2 Q62702-P85-S3 Q62702-P85-S4 Q62702-P1192 Q62702-P1057 Q62702-P1058 Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. 1) Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group. Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Lottemperatur bei Tauchlotung Lotstelle 2 mm vom Gehause, Lotzeit t 5s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5s Lottemperatur bei Kolbenlotung Lotstelle 2 mm vom Gehause, Lotzeit t 3s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom t 3s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Symbol Symbol Top; Tstg TS Wert Value -55 ... +100 260 Einheit Unit oC oC TS 300 oC VCE IC 35 50 V mA Semiconductor Group 205 BP 103 B BP 103 BF Bezeichnung Description Kollektorspitzenstrom, < 10 s Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Verlustleistung, TA = 25 oC Total power dissipation Warmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol ICS VEC Ptot RthJA Wert Value 100 7 200 375 Einheit Unit mA V mW K/W Kennwerte (TA = 25 oC, = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area Abmessung der Chipflache Dimensions of chip area Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Kapazitat, VEC = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Dunkelstrom Dark current VCEO = 35 V, E = 0 Symbol Symbol S max Wert Value BP 103 B 850 BP 103 BF 900 nm Einheit Unit 420 ... 1130 730 ... 1120 nm A LxB LxW H 0.12 0.5 x 0.5 4.1 ... 4.7 0.045 0.45 x 0.45 2.4 ... 2.8 mm2 mm x mm mm CCE ICEO 25 6.5 5 (100) 12 5.0 1 (200) Grad deg. pF nA Semiconductor Group 206 BP 103 B BP 103 BF Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Fotostrom, = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 k Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) x 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2 1) 1) Symbol Symbol Wert Value -2 -3 -4 Einheit Unit IPCE IPCE tr, tf 0.63 ... 1.25 3.4 7.5 1 ... 2 5.4 10 1.6 8.6 10 mA mA s VCEsat 130 140 150 mV IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Semiconductor Group 207 BP 103 B BP 103 BF Relative spectral sensitivity , BP 103 B Srel = f () Relative spectral sensitivity , BP 103 BF Srel = f () Dark curent ICEO/ICEO25o = f (TA), VCE = 25 V, E = 0 Photocurrent IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Dark curent ICEO = f (VCE), E = 0 Directional characteristics Srel = f () Collector-emitter capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 Semiconductor Group 208 |
Price & Availability of Q62702-P1192
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